花旗11月3日发布全球半导体研报称，尽管三星电子、SK海力士等厂商上调存储芯片供应增长预期，叠加消费端需求偏弱，2027年DRAM和NAND供需缺口料较此前预测收窄，但服务器需求仍将支撑行业延续供不应求。该行将2027年DRAM供需比预测从-8.7%上调至-3.8%，NAND从-6.1%上调至-3.3%。

　　DRAM方面，花旗预计2027年全球供应量同比增长24%，高于此前预测的19%；需求增长28%，低于此前的30%。其中，三星电子位元供应量预计增长22%，SK海力士受1c制程产能爬坡推动增长28%。需求端呈现分化：服务器DRAM需求预计同比激增53%，智能手机DRAM需求则下降11%。

　　NAND方面，2027年供应增速预测从21%上调至22%，需求增速则从29%下调至26%，主要由于消费级市场表现弱于预期。不过，企业级固态硬盘（eSSD）需求预计增长52%，单台设备存储容量同比提高38%，继续成为市场增长的核心动力。厂商也正通过制程升级增加供应，以满足企业级需求。

　　与此同时，存储企业仍在扩大投资。花旗预计2027年DRAM资本开支同比增长55%，高于此前预测的52%；NAND资本开支增长35%，此前预计增长34%。按报告测算，两类存储合计资本开支约819亿美元；2028年DRAM和NAND资本开支预计继续分别增长52%和34%。

　　花旗指出，尽管市场担忧三星和SK海力士近期指引暗示供应增长过快，但当前存储供应对需求的满足率仍约为70%。主要厂商更倾向于通过长期供货协议锁定中长期盈利可见性，而非一味大幅提价。随着AI持续学习需求增长及个人AI应用可能兴起，存储行业中长期需求仍有支撑。

　　Yorkville Ives：美国科技巨头将被迫放缓AI资本开支，但长期增长前景不变Yorkville Ives分析师丹·艾夫斯（Dan Ives）在最新研报中表示，随着民主党在美国中期选举中赢得参众两院控制权，美国AI基础设施建设将不可避免地放缓，大型科技企业可能被迫调整未来两年的资本开支计划。不过，这种放缓未必是坏事，反而可能有利于AI产业长期发展。

　　艾夫斯指出，美国目前计划建设约800至1000座数据中心，这些项目是推动AI革命的重要基础设施。但民主党全面掌控国会，尤其是参议院，将在未来两年给AI及科技行业相关立法带来重大阻碍。

　　尽管美国总统特朗普可能否决严厉的AI安全及监管法案，但大型科技企业仍将不得不与国会展开谈判，在AI监管问题上寻求妥协。

　　艾夫斯特别指出，得州的政治变化值得关注。民主党人吉娜·伊诺霍萨击败现任州长格雷格·阿博特，成为科技行业面临的重要不确定性。艾夫斯认为，伊诺霍萨长期反对数据中心建设，其当选使得得州未来的数据中心项目面临更大阻力。

　　该州是SpaceX和特斯拉等企业的重要数据中心布局地区，相关政策变化可能影响这些公司的业务扩张。不过，艾夫斯预计，立法者与企业将围绕数据中心建设展开持续谈判，最终可能形成更加审慎的长期发展路径。

　　资本开支方面，艾夫斯认为，中期选举结果可能迫使科技巨头放缓2027年至2028年的数据中心投资，并减缓AI军备竞赛中大规模融资的步伐。这将减轻科技企业持续向资本市场融资带来的压力，因此部分投资者可能将这一变化视为积极因素。

　　不过，艾夫斯认为，监管政策也将受到国际竞争的制约。如果美国数据中心建设明显放缓，中国可能在全球AI竞赛中获得优势，这将成为民主党制定相关政策时必须考虑的因素。

　　艾夫斯预计，受政治反对影响，美国计划建设的数据中心可能有5%至10%最终无法落地。但他强调，华尔街仍然严重低估了未来几年AI为科技及其他行业带来的收入增长和盈利潜力。

　　该机构认为，AI革命不会因资本开支放缓而终止，而是将以更加适度的节奏推进，这种调整在许多投资者看来可能有利于行业长期健康发展。

　　








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